沉积的铜，并提高深孔内质量输运反应物离子的均匀性。

为了改善铜柱热膨胀应力、制造难度和成本以及高频性能等方面的问题，TSV的导体柱和介质层可以采用不同的材料或结构。例如，在某些应用中，可以采用重掺杂的多晶硅或单晶硅、中空或填充高分子材料的铜环、金属钨或镍作为导体柱，甚至以碳纳米管作为导体材料,而介质层可以采用不同的高分子材料甚至空气间隙代替常规的SiO2。