到65nm 技术节点以下则采用低k 材料（k≤3.2），到超低介电常数材料（ULK,k≤2.5），乃至到空气隙（air gap）架构（k≤2.0）。同传统的氧化硅薄膜相比，低k薄膜在机械强度、热稳定性和与其他工艺衔接等方面有很多问题，给工艺技术带来了很大挑战。