随着半导体制造技术的发展，在不断追求微缩化及高集积度的结果，使对晶片在加工过程所需气体中污染物的敏感度日益增加，从而要求使用的气体中对杂质含量的控制越来越严格，表4-3所示动态随机存取记忆体（DARM:Dynamic Random Access Memory）64M 以上之大宗气体的参考标准，其中对气体之不纯要求已达PPb级（Parts Per Billion即10⁹分之一）程度。要达此洁净度，不但于来源气体之纯度规格要求要高，在配管的设计和施工上也要特别考量，当然在此微量之浓度，其分析鉴定也是一门大学问。