启闳半导体科技(江苏)有限公司QiHong Semicon TECHNOLOGY (JIANGSU) CO.,LTD
64K DRAM(Dynamic Random Access Memory 动态随机存取记忆体)至1987年代之1M(百万位元),和随后之4M、16M、64M、256M、1G(十亿位元)以迄正发展中之4G⋯和 TFT-LCD 从第三代、四代以迄目前之七代、八代,均依实际的需求而做了不断的修正,表1-5为FS209之修正过程。从最初的209以及目前普遍使手的209D及209E和新发展的ISO TC-209,其过程修正之内容变化如表1-6所示。