O4脉冲式雷射，雷射波长为355 nm，图 7-4为雷射激发能量与 VCSEL 光输出强度关系，由图中可以发现明显的光强度非线性转折点，其对应的阈值激发能量密度约为53 mJ/cm²。

至于上下 DBR 皆利用介电质氧化物制作而成的氮化镓 VCSEL，交通大学 Chu等人亦在2006年成功制作出此类型的 VCSEL，并在室温光激发下观察到雷射的现象。他们先利用金属有机化学气相沉积系统成长10对In_0.1Ga_0.9N/GaN 多量子井结构，接着镀上6对的 SiO₂/TiO₂ DBR于磊晶结构上，其反射率大约99.5%。再配合雷射剥离技术去除蓝宝石基板与适当的研磨后，再镀上8对的SiO₂/Ta₂O₅ DBR，其反射率约为97%，当雷射激发功率约为270nJ 时可以观察到雷射现象，其对应的阈值光激发密度约为21.5 m.J/cm²。此外，由于利用雷射剥离技术时必须保留适当的共振腔厚度以避免量子井遭受高能量雷射的破坏，因此也造成整体的共振腔厚度大约有4μm，这样的厚度也反应到光激发光谱上，如图7-7所示，在达到雷射阈值激发密度之前，光谱中可以观察到共振腔中的多重纵向模态，然而在激发能量达到雷射之后，只有单一纵向模态会产生雷射，其波长通常落于主动区增益频谱的最大值附近。