早期 VCSEL 的发展是利用高反射率的金属作为雷射的反射镜，例如金薄膜受到了高吸收系数的局限其最高反射率约在98%左右，因此在雷射功率与阈值电流表现上不甚理想，对于VCSEL 而言，另一种形式的反射镜更为理想，即为利用多层膜结构所构成的DBR，Ogura 等人在1987年首次利用 DBR 结构成功制作出GaAs VCSBL ［2］，因此一个正确与适当的 DBR 设计对于VCSEL 而言甚为重要。DBR 主要由两种不同的材料所组成，这两种材料必须具备一定的折射率差异与约1/4光学波长厚度（optical wavelength thickness），这里所谓的光学波长厚度d是指光波在真空中的波长（λ）除上在介质中于该波长时的折射率n.，（2）。最常见的 DBR 是用氧化物等介电材料制成，介电质材料已被大量使用在各种光学镀膜的应用中，虽然利用介电质材料可以提供较大的折射率差异，但是介电质材料不导电且热导性差，大大限制了雷射元件的操作，因此为了简化 VCSEL 的制作过程并达到具导电性 DBR 的优点，大部分 VCSEL仍是利用半导体材料来制作DBR。

由于利用半导体制作 DBR所采用的两组半导体材料，相对而言具有较小的折射率差异，因此需要较多层的结构以达到较高的反射率。由磊晶的观点而言，GaAs材料的晶格常数与 AlAs十分接近，因此AlGaAs材料系统被广泛的应用于制作 DBR。此外值得注意的是，用于制作DBR所选用的材料对于元件所发出的雷射光波长必须是透明不可吸光的，否则将会造成雷射阈值电流的增加与雷射输出功率的下降。