更详细介绍。

在90年代中期850nm 面射型雷射制程相对成熟且成功商品化之后，研究单位开始回过头来针对长波长（发光波长大于1微米）的面射型雷射元件制程技术及材料进行研究，同时由于更短波长的化合物半导体发光元件及材料陆续被成功开发出来，包含II-VI 族化合物半导体 ZnSe 系列材料和 II-V 族化合物半导体GaN等蓝光、绿光发光元件的研究成果，均启发了研究人员探讨采用这些材料制作更短波长可见光面射型雷射的可能性。