In_0.54Ga_0.46P/In_0.48(Al_0.7Ga_0.3)_0.52P 应变量子井活性层（strained quantum well active region）作为发光区材料，上下 DBR 则分别由30对和40对四分之一波长厚度的Al_0.5Ga_0.5As/AlAs 交错排列组成，该面射型雷射可以在室温下以光激发光操作，发光波长为657nm［30］。随后在1993年发表的论文中［31］，他们同样采用砷化镓基板成长55.5 对n型DBR（Si 掺杂浓度2×10¹⁸cm^-3）和36对p型DBR（C掺杂浓度 4×10¹⁸cm^-3），每一对 DBR 由四分之一波长厚度的Al_0.5Ga_0.5As/AlAs交错排列组成且介面处为10nm 厚铝含量莫耳分率 0.75 的渐变层，以减低 DBR的串联电组。发光区厚度为8 倍发光波长（8入 cavity），主要由InAlGaP 组成的步进式渐变能障分布局限异质接面结构（step graded-barrier separate confinement heterostructure, SCH）包围着中央三层厚度各为 10nm 的InGaP 应变量子井结构所组成，元件经过 BCl₃电频蚀刻形成直径20微米柱状结构并完成上下金属电极制作后，可以在室温下脉冲电激发光操作，发光波长在639～661nm 之间，发光波长650nm 的元件阈值电流大小为30mA，最高输出功率超过3.3mW且远场发散角仅为 6.5°。

台湾交通大学黄凯风教授和戴国仇教授的研究团队也在1993年发表红光面射型雷射电激发光的成果［32］，该团队同样采用MOCVD成长磊晶结构，发光层由四对In_0.5Ga_0.5P（80A）/In_0.5Al_0.35Ga_0.15P（60A）量子井结构所组成且位于等效1个波长厚度的共振腔（1入cavity）中央位置，上下 DBR 分别为30对zn 掺杂（p型）和40对Si掺杂（n型）的Al_0.5Ga_0.5As/Al_0.75Ga_0.25As/AlAs /Al_0.75Ga_0.25As依序交错排列组成，每层厚度分别为375A，100A，435A