Al_0.14G_0.86As超晶格（superlattice） 结构，借由 MBE 成长的该超晶格结构由14 对交错排列的 GaAs层（厚度33.9A）和 AlAs层（厚度5.7A）所组成，光激发光频谱波长为771nm，而且具有比直接磊晶成长Al_0.14G_0.86As晶体更高的光激发光强度［28］。所制作的元件利用离子布植法制作电流孔径分别为直径10微米和15微米两种尺寸的元件，在室温下均可连续波操作，其阈值电流大小分别为4.6mA 和6.3mA，室温下操作未加散热情况下最大输出功率为1.1mW，这个发光波长也是后来光碟机和 CD 雷射读写头最早采用的波段。