Al0.1Ga0.9As n型掺杂（Si，5X1017cm-3）DBR 以及5对Al0.7Ga0.3As/Al0.1Ga0.9As P型掺杂（Be，1019cm-3）DBR，每层DBR厚度均为发光波长的四分之一，同时掺杂浓度相当高因此导电率也较好，由于p型DBR对数较少因此会在元件制程中额外镀金属（银或金）形成混成式反射镜（hybrid metal-DBR reflector），除了可以有效提高反射率同时也可以做为电流注入的电极。同时该团队也首次采用氧离子布植做为电流局限方法，因此元件除了可以在室温下连续波操作，临界电流大小在脉冲操作时为 26mA 连续波操作时为40mA，且元件串联电阻仅为 30Ω。［24］［25］
同属Bell Lab. 的研究团队的J.L.Jewell 等人也在1989年利用蚀刻方式制作微柱状结构面射型雷射，圆柱状结构直径从1微米、1.5微米、2微米、3微米、4微米到5微米，蚀刻深度5.5 微米，方形柱状结构边长5微米、10微米、25微米、50微米、100微米与200 微米也同样被制作在砷化镓基板上，最大元件密度可以高达每平方公分200 万颗面射型雷射元件，在典型的7×8 mm 样品上包含超过100万颗。该研究最大贡献除了展现高密度面射型雷射阵列的可行性以外，同时也采用厚度 10nm 的 In0.2Ga0.8As 单一量子井 （single quantum well, SQW）和每层厚度 8nm 的三重量子井（triple quantum wells，3QW）结构取代原本的双异质接面结构，进一步提升面射型雷射载子局限能力与量子效率，同时由于在砷化镓材料中添加铟可以使能隙大小降低，因此元件发光波长变为960～980nm［26］［27］，介于磷化铟系列材料的1.3微米长波长范围和砷化镓材料的850nm 之间，而且砷化铟镓材料通常具有较高增益，因此往后经常被用于制作高功率雷射二极体做为其他固态雷射或光纤雷射激发光源用途。
由于 Bell Lab.团队成功的制作全磊晶面射型雷射元件并且证实可以在室温下连续波操作，此后面射型雷射的发展大多采用磊晶成长方式沉积包含上下 DBR 和主动发光层，而发光波长也由最早的磷化铟系列材料1.3微米范围，缩短为采用砷化镓系列材料的850nm，在砷化镓材料中添加铝可以进一步提高其能隙大小缩短发光波长，但是铝含量如果超过 0.45 莫耳分率的话，该砷化铝镓材料能带结构会由直接能隙转变为间接能隙，反而抑制发光效率，因此要如何再进一步将面射型雷射发光波长推进到可见光波段就成为1990年代起各大研究机构与相关产业的研发重点。上述采用量子井结构制作面射型雷射的Bell Lab. 团队成员 Y.H. Lee 和 B. Tell 等人在1991年时将发光层材料改为
