通孔2工艺是指在IMD2介质层上形成金属层2与金属层3的连接通道。通孔的填充材料也是金属钨（W），它利用CVD 进行淀积，可以实现优良的台阶覆盖率和高深宽比接触通孔无间隙的填充。

1）VIA2光刻处理。通过微影技术将VIA2 掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成VIA2的光刻胶图案，非VIA2区域上保留光刻胶。M2作为VIA2 光刻曝光对准。图4-122 所示为电路的版图，与图4-113比较，它多一层VIA2，工艺的剖面图是沿 AA'方向。图4-123所示为VIA2光刻的剖面图，图4-124所示为 VIA2显影的剖面图。

2）量测 VIA2光刻的关键尺寸。

3）量测VIA2光刻套刻，收集曝光之后的VIA2光刻与 M2 的套刻数据。

4）检查显影后曝光的图形。

5）VIA2 刻蚀。利用干法刻蚀去除无光刻胶覆盖区域的氧化物，获得垂直的侧墙形成VIA2，提供金属层2和金属层3的连接。刻蚀的气体是 CHF₃和CF₄。TiN 作为刻蚀的停止层，终点侦查器会侦查到刻蚀氧化物的副产物锐减，刻蚀最终停在TiN 上面。图4-125 所示为VIA2 刻蚀的剖面图。

6）去除光刻胶。除了前面提到的干法刻蚀利用氧气形成等离子浆分解大部分光刻胶，再通过湿法刻蚀利用有机溶剂进行清洗。图4-126所示为去除光刻胶的剖面图。

7）量测VIA2 刻蚀关键尺寸。

8）Ar 刻蚀。PVD 前用Ar离子溅射清洁表面。

9）淀积Ti/TiN层。利用PVD的方式淀积200A的Ti和500A的TiN。首先通入气体Ar轰击Ti靶材，淀积Ti薄膜。再通入气体Ar 和N₂轰击Ti靶材，淀积 TiN 薄膜。Ti/TiN层可以防止钨与硅反应，而且有助于后续的钨层附着在氧化层上，因为钨与氧化物之间的粘附性很差，如果没有Ti/TiN 的辅助，钨层很容易脱落。图4-127所示为淀积 Ti/TiN 的剖面图。

10）淀积钨层。利用CVD的方式淀积钨层，填充通孔，通入的气体是WF₆、SiH₄和H₂。淀积分两个过程：首先是利用 WF₆和SiH₄淀积一层成核的钨籽晶层，再利用 WF₆和H₂淀积大量的钨。钨生长是各向同性，生长的厚度不小于 VIA2的半径。图4-128所示为淀积钨层的剖面图。

11）钨CMP。利用CMP 除去表面的钨和 TiN，防止不同区域的VIA2 短路，留下钨塞填充VIA2。氧化物是CMP的停止层，CMP终点侦察器侦查到IMD2硅玻璃反射回来的信号，但还要考虑工艺的容忍度，防止有钨残留造成短路，所以侦查到终点时，还要进行一定时间的工艺。图4-129所示钨CMP的剖面图。

12）清洗。利用酸槽清洗晶圆纯净水清洗，得到清洁的表面。