钨是利用CVD淀积的，它具有极强的填充高深宽比通孔的能力，并且台阶覆盖率非常好。钨开始在亚微米工艺作为接触孔和通孔的填充材料取代铝。淀积钨的工艺技术是WCVD，它的淀积过程分两个步骤，第一步是利用WF₆与SiH₄在400°C的条件下淀积一层均匀的钨成核层附着在侧壁和底面，第二步是利用WF₆与H₂在400°C的条件下沿着钨成核层淀积大量的钨。因为通过CVD 技术淀积钨时，钨材料的生长是各向同性等比例，它可以有效地防止空洞现象和很好地填充通孔。图3-131 所示为钨接触孔和通孔的剖面图。

对于0.13μm 及以下的工艺技术，为了降低RC延时，利用低阻的铜作为填充通孔和互连线的材料。但是铜在硅中扩散很快，为了有效地隔离硅和铜，所以填充接触孔的材料依然是钨。图3-132所示为铜互连的剖面图。