SiO₂，还有SAB光刻处理（保留 Non-Saicade 区域光刻胶，去掉 Selicide 区域光刻胶），以及 SAB 刻蚀处理（去掉 Salicide区域的氧化硅，为下一步形成 Salicide 做准备）。SAB 刻蚀处理包括干法刻蚀和湿法刻蚀。

为什么SAB 刻蚀利用干法刻蚀和湿法刻蚀结合呢？因为干法刻蚀是利用带电离子浆轰击的方式去除氧化硅，它既包括物理的轰击也包括化学反应的过程，如果直接用干法刻蚀完全去除氧化硅会损伤衬底硅，导致最终形成的 Salicide 电阻偏高。而湿法刻蚀是利用化学反应去除氧化硅，不存在物理轰击，所以不会损伤衬底。但是干法刻蚀是各向异性刻蚀，它的刻蚀方向是垂直向下，它能很好地控制尺寸，而湿法刻蚀是各向同性刻蚀，湿法刻蚀横向刻蚀比较严重，不能控制刻蚀的方向，最终刻蚀得到的尺寸会与设计的图形存在偏差，另外横向刻蚀还会渗透到栅氧里面导致漏电，器件失效。所以SAB 刻蚀步骤需要干法刻蚀和湿法刻蚀结合。