湿法刻蚀是最早出现并被应用于半导体工艺生产中的刻蚀方法，刻蚀的目的是进行图形转移，把设计的图形通过光刻和刻蚀转移到硅芯片上。在湿法刻蚀的过程中，将硅片浸泡在特定的化学浴液中，通过化学浴液与需要被腐蚀的薄膜材料进行化学反应，从而清除没有被光刻胶覆盖区域的薄膜材料。湿法刻蚀是一种纯化学刻蚀，它的优点是工艺简单，具有非常好的选择性，化学反应完全去除需要被刻蚀的薄膜材料就会停止，而不会损坏下面一层不同类型的材料薄膜。虽然湿法刻蚀具有非常好的选择性，但是在湿法刻蚀的过程中是没有特定方向的，它是各向同性，所以无论是氧化层还是金属层的刻蚀，横向刻蚀的宽度都接近于垂直刻蚀的深度，位于光刻胶边缘下面的材料也会被刻蚀，这会使得刻蚀后的线条宽度难以控制，导致上层光刻胶的图形与下层薄膜材料上被刻蚀出的图形存在一定的偏差，也就无法高质量地完成图形转移和复制。各向同性湿法刻蚀和各向异性干法刻蚀如图3-31 所示，其中图3-31a是光刻工艺，图3-31b是显影，图3-31c是各向同性的湿法刻蚀后的图形与设计图形出现了严重偏差，图3-31d是合向异性的干法刻蚀，干法刻蚀可以很好地把设计图形转移到晶圆上。由于湿法刻蚀各向同性的特点，这使得湿法刻蚀无法满足 ULSI 工艺对加工精细线条的要求，因此随着半导体工艺特征尺寸的缩小，在特征尺寸小于3um 的工艺技术中，已不再在图形转移的工艺步骤中使用湿法刻蚀，湿法刻蚀一般被用于晶圆准备、清洗和去氧化层等不涉及图形转移的环节。相对于各向同性的湿法刻蚀，各向异性的干法刻蚀已成为图形转移工艺步骤中的主流工艺技术。

干法到蚀是利用等离子体激活的化学反应或者利用高能离子轰击需要被刻蚀的薄膜材料去除薄膜的技术。因为在刻蚀中并不使用溶液，所以称为干法刻蚀。干法刻蚀因其原理不同可以外为两种：第一种是利用辉光放电产生活性极强的等离子体与需要被刻蚀的材料发生化学反应形成具有挥发性的副产物，再通过排气口把副产物排出反应腔从而完成刻蚀，也称为等离于体刻蚀。第二种是通过 RF 电场加速等离子体形成高能离子轰击需要被刻蚀的薄膜材科素面，使薄膜表面的原子被等离子体的原子击出，从而达到利用物理上的能量和动能转移来实现刻蚀的目的，这种刻蚀是通过溅射的方式完成的。也称为等离子体溅射刻蚀。上述两种方法的结合就产生了第三种刻蚀技术，称为反应离子刻蚀（Reaction Ion Etch-RIE）。反应离子刻蚀是物理和化学两种过程同时进行的。

干法刻蚀具有非常好的方向性 （见图3-31a）。