°C）驱赶氢离子，使结合的界面形成Si-0-Si键，从而强化化学键，提升硅薄膜层的品质，同时，也对表面进行CMP 处理。

利用 Smart-Cut 技术制备 SOI 晶圆流程如图2-31 所示，图2-31a 是准备两片晶圆衬底裸片A和裸片 B；图2-31b是对晶圆B进行热氧化和氢离子注入处理；图2-31c是把晶圆A和晶圆B进行低温键合；图2-31d 是利用热反应剥离晶圆B形成顶层硅薄膜，利用高温热退火加固键合，以及 CMP处理。

与BESOI 技术类似，Smart-Cut 技术的优点在于顶部硅薄膜是体硅，BOX 是热氧化膜，BOX层和顶层硅薄膜厚度可以在很大的范围内调整，可以利用离子注入的能量来控制顶部硅薄膜厚度，所以可以得到厚度很薄、均匀性很好的顶部硅薄膜。另外，剥离的晶圆材料还可以重复利用，它可以有效地降低成本。利用Smart-Cut技术制备SOI 晶圆是目前最通用、最廉价的技术，业界提供 Smart-Cut 技术的公司是法国的 Soitec 公司。