2007年1月，Intel 公司宣布在45nm 技术节点利用新型High-k（高K介电常数）介质材料HfO₂，来代替传统 SiON 作为栅介质层来改善栅极漏电流问题，同时利用金属栅代替多晶硅栅，开发出HKMG工艺。