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接触刻蚀阻挡层应变技术
来源: | 作者:LiLi | 发布时间: 2024-07-29 | 180 次浏览 | 分享到:

Ar+离子形成高能离子体，然后利用高能离子的体轰击效应，使得Si3N4薄膜更为致密，形成压应力。