1986年，意法半导体（ST）公司率先研制成功BCD工艺制程技术。BCD工艺制程技术就是把BJT，CMOS和DMOS器件同时制作在同一芯片上。BCD工艺制程技术除了综合了双极器件的高跨导和强负载驱动能力，以及CMOS 的高集成度和低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点外，更为重要的是它还综合了高压 DMOS器件的高压大电流驱动能力的特性，使DMOS 可以在开关模式下工作，功耗极低。从而不需要昂贵的陶瓷封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。低功耗是 BCD 工艺集成电路的一个主要优点之一。

BCD 工艺集成电路可大幅降低功率耗损，提高系统性能，节省电路的封装成本，并具有更好的可靠性。在BCD 工艺集成电路中，DMOS 器件采用厚的栅氧化层，更深的结深和更大的沟道长度。另外，DMOS 器件的独特耐高压结构决定了它的漏极能承受高压，而且可在小面积内做超大尺寸器件，做到高集成度。DMOS 器件适合用于设计模拟电路和输出驱动，尤其是高压功率部分，但不适合做逻辑处理，CMOS 器件可以弥补它这个缺点。

DMOS 与 CMOS 器件结构类似，也是由源、漏和栅组成，但是 DMOS 器件的漏极击穿电压非常高。DMOS 器件主要有两种类型，一种是 VDMOS（Vertical Double Diffused MOSFET，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管），另一种是 LDMOS（Lateral Double Diffused MOSFET，横向双扩散金属氧化物半导体场效应管）。图1-17所示为 VDMOS 和LDMOS 剖面图。图1-17a是VDMOS 分立器件的剖面图，它的漏极是从衬底接线的，它的源极，栅极和漏极不在一个平面，所以它只能做分立器件，而不能与其他CMOS集成在一个芯片。图1-17b是与CMOS 工艺制程技术兼容的VDMOS 的剖面图，它的三端（源极，栅极和漏极）是在一个平面，VDMOS器件的沟道长度是由轻掺杂的P型漂移区决定的，漏极通过轻掺杂的HVNW连接沟道，它可以有效防止源漏穿通，在漏极电压较高的情况下，该区域会完全耗尽，因而可以承受很大的电压差。图1-17c是与CMOS 工艺制程技术兼容的 LDMOS 的剖面图，它的三端（源极，栅极和漏极）也是在同一个平面，LDMOS 与VDMOS 的主要区别是 LDMOS 的电流横向流动。与CMOS 工艺制程技术兼容的 VDMOS 和LDMOS 被广泛应用于集成电路设计。P_drift是p型漂移区，N_drift是n 型漂移区，HVNW（High Voltage N-WELL） 是高压n型阱。