在半导体的制造过程中，即使是微小的颗粒（微尘）或微量的不纯物质，也会是实现高良率、高可靠性目标的重大威胁。这是因为附着在晶圆上的微尘可能造成图样的缺损，不必要的不纯物质混入矽基板或绝缘膜内，可能造成半导体的初期电性变化或可靠性的降低。

无尘室内的半导体的生产线，如字义为非常洁净的空间，颗粒的有无、有机或无机不纯物的携入与产生，均努力被控制在最低程度。然而，晶圆的储存、搬运、处置或是制程本身，均无法百分之百避免微量污染的发生。

将晶圆洗净以去除附着物

在洗净制程中，可大致分别为将异物以化学方法分解去除，以及以物理方法去除两种方法。另外还有，以药液或纯水做为洗净媒介的“湿式洗净”，以及以二氧化碳、臭氧或电浆进行的“干式洗净”。

如图3-1-1所示，最普遍是以药液进行化学分解、去除的洗净方法，使用的药液依去除的污染物种类，而有几种不同的选择，像是氢氧化及过氧化氢（双氧水）混合液（APM ）、氟酸与过氧化氢混合液（FPM）、盐酸与过氧化氢混合液（HPM）、硫酸与过氧化氢混合液（SP M：食人鱼洗液）、氟酸以纯水稀释液体（DHF）等，通常组合使用。

考虑酸对金属的腐蚀性，在完成金属布线之后的洗净不能用酸类药液，而需使用酒精或丙酮等有机溶剂。

如图3-1-2所示，在湿式洗净设备中，又分为可同时处理多片晶圆的“批量式洗净设备”及一次只能清洗一片的“枚叶式洗净设备”。而在批量式洗净设备中，每个洗净槽内装有不同洗净效果的不同药液，将晶圆依顺序浸泡的浸泡式，以及在同一个洗净槽内轮流装入不同洗净药液的一次通过式。