利用化学反应对各种材料薄膜进行加工成型的制程，称为“蚀刻”。蚀刻又可以大致分为利用材料与气体反应的干式蚀刻，以及利用材料与药液反应的湿式蚀刻两种。

以下将针对这两种蚀刻方式进行具体的说明。

①干式蚀刻

最普遍的干式蚀刻法为“反应离子蚀刻”，英文名称Reactive IonEtching简写为RIE。

图2-8-1所展示的是平行平板型RIE设备的构造模型横切面。将晶圆放入内部气体抽光呈真空状态的化学反应腔体（chamber）中，并依照制作蚀刻的材料层，灌入所对应的气体。再将高频电压施加于下层电极（晶圆抓取器），下层电极与接地的上层电极平行，则气体电浆化，分解成正、负离子、电子以及称为“游离基”的中性活性种。

这些蚀刻物被吸附在欲进行蚀刻的材料层表面，而发生化学反应，形成具有挥发性的生成物，生成物离开材料层、透过排气被排出至化学反应室外，借此进行蚀刻。也就是说，干式蚀刻的精髓在于，与材料层发生化学反应、产生挥发性生成物的过程。

干式蚀刻是为对光阻上的图案忠实地进行高精密加工的过程，故选择材料层与光阻层的蚀刻速率差（选择比）较大、且能够确保蚀刻的非等向性（主要随材料层的厚度方向进行蚀刻），且能降低结晶缺陷、不纯物的掺杂、带电间题导致的损伤等，并降低由于图案疏密致使的蚀刻速率差异（微负载效应）问题为重点。

②湿式蚀刻

湿式蚀刻，指的是利用药液将材料层进行溶解的加工法。分别是将药液储存在蚀刻槽内，并将装载有晶圆的载具浸入槽中的浸渍式（DIP），以及图2-8-2所示，将晶圆旋转同时喷撒药液的回旋式两种。湿式蚀刻具有蚀刻等向性的特性，故不适用于高精密加工、且不易使用光罩遮蔽光阻，因此目前湿式蚀刻懂受限于整面蚀刻等部分制程中。

蚀刻完成，剩下的光阻，在剥离制程以离子或药液加以剥除。离子剥离又称为“灰化”。