⁺区域（n型不纯物浓度较高的区域）。接着，以同样的制程，以硼（B）对侧墙进行自动对准的离子注入，形成P-通道MOS电晶体的源极与汲极p⁺区域（p型不纯物浓度较高的区域）。

14.将镍（Ni）以溅镀方式在整面晶圆上形成，并进行热处理，在矽基板表面及闸极多晶矽（Poly-Si）接触的部分，镍与矽反应成二矽化镍（NiSi₂），其余的部分则维持镍的型态。

15.将晶圆浸入稀氟酸（DHF）中，镍溶解、二矽化镍保留，闸极多晶矽、源极、汲极区域的表面也保留自动对准的NiSi₂膜构造。此为“自动对准式矽”的意思，简称为“金属矽化”。

16.以CVD法在整个晶圆表面堆积一层厚厚的二氧化矽膜（SiO₂膜），再以CMP法将表面研磨，呈现完全平坦。

以上为前段制程FEOL的主要制程。

制程看起来非常复杂繁琐，各位读者可以先简单认知为，这是为了达成“在矽晶圆上做出各种元件的制程”目的，前段所需要的各种操作。