霍尔（效应）传感器 (Hall Effect Sensor)，是指利用霍尔效应将磁信号或间接将非电、非磁的物理量变化转换为电学量的变化，并进行采集、放大和输出的一种传感器装置。霍尔效应是霍尔（A.H.Hall)）1879 年发现的，霍尔传感器的工作原理示意图如图 2-113 (a） 所示。

霍尔电压可表示为

                              Uᴴ=RᴴIB/d

式中，Rᴴ为其值由薄片材料决定的霍尔系数;B为磁感应强度 （Gs)；d为霍尔组件的厚度；I为通过薄片的电流，称为激励电流。

霍尔传感器基本结构示意图如图 2-113 （b） 所示，在由半导体制成的基片的两个侧面各装一对电极。沿电流方向的A 电极和B电极连接的是激励电压，产生激励电流使电子运动进而受到洛伦兹力的影响而偏转，故称激励电极。电压计连接C电极和D 电极，测量半导体内部产生的霍尔电压，故称霍尔电极。

霍尔传感器可用于压力、应变、机械振动、加速度、微位移、磁感应强

度、有功功率、无功功率、相位、电流、电压、表面粗糙度、转速等参数的

测定。霍尔传感器应用广泛，例如乘除和开方等运算器、调制和解调组成的

回转器、三角波发生器、无接触发信装置、同步传递装置等。

日前市场上霍尔传感器的应用非常广泛。现在大规模普及的智能手机所配

备的智能翻盖保护套和以前非常流行的翻盖手机都用到了霍尔传感器。当闭合

保护套或手机盖时，手机进人休眼状态；当翻开保护套或手机盖时，手机被唤

醒，整个过程无须点按任何按钮

霍尔传感器具备寿命长、形小体轻等许多优点，能够实现无电刷化、电子

化和无噪声化，预计在不远的将来，其在汽车电子、电力通信等许多领域内将

得到广泛使用