于不存在电导率调制的现象，使得 MOS 功率器件在高电压下具有较大的导通电阻Rᵈˢ。 MCT 是BJT-MOS 复合器件，在操作上结合了双极 BJT 功率器件和 MOS功率器件的优点，适用于低频、高电压和大功率的应用领域，电压阻断能力可达到10kV，但开关瞬变期间所产生的能耗限制了 MCT 结构的最大工作频率（低于 100kHz) .
与GTO 器件的结构相比，MCT 结构的优势是匹配其 MOS 栅极结构的栅极控制电路较为简单，且由于分流路径很短，使 MCT 的阳极电压在栅极电压达到负的栅极电源电压之后能立即开始上升，故关断过程中的充电时间间隔较短。与IGBT 相比，MCT 的通态电压降落较小，功率损耗曲线较佳，但缺乏正向偏置的全工作区，故难以取代 IGBT。
