发射极关断 (Emitter Turn-Off， ETO）晶闸管具有栅极截止晶闸管的耐高电压和高电流的能力．以及易于控制 MOS 栅极的优点，其他功能包括高电压电流整流能力和器件电流检测能力。ETO 晶闸管的结构原理图与电路符号如图 2-92 所示。

VQᴳ充当栅极开关并与栅极 1相连。ETO 晶闸管是由发射极开关即低压MOSFET( VQᴳ是pMOSFET， VQᴮ是nMOSFET）和 GTO 晶闸管串联组成的功率器件。在栅极 2 和栅极3 上施加正电压就打开器件，此時 VQᴳ关断，VQᴮ开启，阴极电压通过 VQᴮ,加到 GTO 晶闸管上使 GTO 晶闸管开始导通。在栅极2 和栅极3上施加负电压则关断器件，此时 VQᴮ关断而 VQᴳ打开，GTO 晶闸管的电流全部经由栅极 1和VQᴳ流至阴极。因为从阳极流人的电流只流经 pnp 晶体管而不流过第一个pn 结J¹ ，GTO 晶闸管的正反馈环路就被破坏，使器件得以关断。在开放式pnp 模式下，关断npn 晶体管是实现高速和大截止电流能力的关键。ETO晶闸管使用阳极电流来提供关断能量，与 IGCT 的技术相比，ETO 晶闸管大大节省了高频操作所需的驱动功率，其开启与关断都是通过低电压MOS管的栅极电压来控制的。