20世纪70 年代到 90年代中期，动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是异步接口，这样它可以随时响应控制输入信号的变化从而直接影响内部功能，这种产品也被称作异步 DRAM 。 DRAM 的存储单元的长宽比接近 1：1，为阵列（Array）形状，存储器的地址线则被分为行（Row）（地）址线和列（Column）（地）址线。行址线用来选择（等待）执行读操作或写操作的行；列址线用来从被选中的相应行中选出;一个用于真正执行读操作或写操作的存储单元。

同步 DRAM ( Synchronous DRAM. SDRAM)的概念至少从20世纪 70年代就已经被人们所熟悉，在早期 Intel 的处理器上已被采用，但从 1993 年才开始被电子产业广泛接受。1993 年，三星展示了其型号为 KM48SL2000 的新产品SDRAM。但是直到 2000 年，SDRAM 才实际上取代了其他类型 DRAM 在计算机中的地位。

SDRAM 与异步 DRAM 相比具有以下特点：可以并行多管线操作；数据传输速率可以随 MCU 的速度不断提高；可减少因输入信号的失真而数据出错的概率；低功耗与高带宽；所有指令信号都和系统时钟同步，因而更为快速和易于管理；结构设计更为复杂。SDRAM 在结构上由许多板块（Bank，简称块）组成。每一个板块由行址线和列址线以及行址缓冲器组成，每一个板块都可以认为是一个独立的存储器，只是各个板块之间共用输入/输出接口(I/O)。SDRAM 地址线要分两次送出：先送行地址线，再送列地址线。这种方式被称作分时复用方式。由于每个板块的数据位宽与整个存储器的位宽相同，这样，板块内的字线（Word-Line）和位线（Bit-Line）的长度就可被限制在合适的范围内，从而加快存储器单元的访问速度。SDRAM 的容量是由地址数 (Number of Addresses)、位宽（ Number of Bits）和存储块数（Number of Banks）决定的：SDRAM 容量=地址数x位宽x存储块数。

DRAM 的结构比 SRAM 简单，它只需一个晶体管和一个电容(1T1C）就可组成一个存储器单元 （RAM Cell)，所以可以达到很高的密度和容量。DRAM 为易失型存储器 （Volatile Memory），广泛用作主机内存，因此，它的发展是和