多，因而不适合用于存储密度要求高的场合。SRAM 常常用作 CPU 芯片的一级缓存（LI Cache）和二级缓存（12 Cache）单元。从Intel 的 80486 开始，CPU内部加入了高速缓存单元，其实质就是将 SARM 嵌入CPU 中，因此在 Pentium CPU 的芯片中就有了 LI Cache 和 L2 Cache 的概念。正常LI Cache 是设计在CPU单元的内部，L2 Cache 建立在CPU 单元的外部，所以CPU 的,芯片面积相对较大。在当今流行的 ARM 应用处理器核中，也增加了 Cache 来解决应用处理器与主存（DRAM）之间的速度匹配问题。因为 DRAM 只需一个晶体管和一个电容器(1T1C）就可组成一个存储单元（RAM Cell)，所以可以达到很高的密度和容量，常被用作计算机的内存。

Intel、三星和台积电都已经生产了 45nm、32nm/28nm、16nm/ 14rm 的6T-SRAM，目前竞相在 10nm 技术节点采用 FinFET 工艺生产面积小、 性能优越的128Mbit SRAM 产品。随着新型高速动态音像展示技术，例如虚拟现实（Virtual Reality， VR）、增强现实 ( Augmented Reality，AR）和人工智能(Artifical Intelligence， AI) 相关技术的不断发展，对 SRAM 的读/写速度要求越来越高，新型 SRAM 器件的研发也越来越得到重视。