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集成电路中的硅基器件—鳍式场效应晶体管FinFET
集成电路中的硅基器件—鳍式场效应晶体管FinFET
来源:
整理综合自《集成电路产业全书》
|
作者:
Belle
|
发布时间:
2022-09-09
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1046
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鳍式场效应晶体管(FinFET)是立体多栅器件的一种,其主要特征是由鱼鳍形(Fin)的薄层硅构成折叠的导电通道,并由双面或三面折叠包围的栅极控制,如图6-5所示。较薄的沟道和多栅控制提高了器件的栅控能力,可以保证器件工作于全耗尽状态。
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