金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）是集成电路最重要的基本单元。金属、氧化物、半导体在MOSFET中分别作为栅极、栅介质、沟道及源漏，通过栅电压的变化改变沟道区的积累、耗尽和反型，使得晶体管实现开关功能。最基本的MOSFET由栅（Gate，G）、源（Source,S）、漏（Drain，D）及体区（Body）组成。

根据沟道掺杂类型的不同，MOSFET分为nMOSFET和pMOSFET两种，两者组合在一起即为互补型MOS（Complementary MOS,CMOS）。平面MOSFET在集成电路器件发展中占据着主导地位。

因为传统的平面MOSFET只有一个栅极，而单栅器件对沟道的控制范围有限，仅为沟道表面的一个薄层，因此在集成电路微缩过程中面临着两难问题：一方面，为了抑制因沟道长度变小所带来的短沟道效应，需要提高沟道的掺杂浓度；另一方面，沟道掺杂浓度过高，将引起器件随机涨落及迁移率退化。

这两个方面的问题是一对不可调和的矛盾，尤其是在集成电路技术发展到22nm节点以下时，器件漏电和性能退化的问题越来越严重。为了增强栅极对沟道的控制能力，全耗尽型SOI MOSFET 和三维多栅MOSFET逐渐成为平面单栅MOSFET的替代者。