射频开关(Radio Frequency Switch)是指可对射频信号通路进行导通和截止控制的射频元件，其性能主要由隔离度、工作带宽、插入损耗、开关时间、功率容量、输入驻波比和使用寿命等参数表征。根据开关选择通路的不同可构成多种不同的开关形态，其中3种典型的开关形态如图5-39所示。

射频开关可分为机电式射频开关、固态射频开关和MEMS射频开关。

机电式射频开关是通过射频继电器实现对射频信号通路的通断控制，具有插入损耗低、隔离度高、抗静电放电性能好、功率容量大等特点，但其体积较大、速度慢、寿命短，而且与射频电路集成困难，主要应用于仪表、大功率多波束天线系统等。

固态射频开关包括二极管射频开关和场效应管射频开关。二极管射频开关是两端口器件，对于射频信号，其等效为一个线性电阻，阻值由直流偏置决定:正偏时，阻抗很小，开关导通;反偏时，开路截止，阻抗很大。场效应管射频开关则是三端口器件，由栅极进行通断控制，包括GaAs pHEMT射频开关和CMOS射频开关。与二极管射频开关相比，场效应管射频开关具有偏置电路简单、易于集成等特点。

MEMS射频开关，分为电容式和接触式两种基本类型。电容式开关使用空气桥结构(Air Bridge Structure)，通过调节电容，实现开关的导通和截止。接触式开关采用悬臂结构( Cantilever Structure)，通过外加电压控制悬臂接触和断开状态，实现射频开关的导通和截止。MEMS射频开关具有插损低、线性度好和带宽大的特点，但是由于通过微机械结构实现导通和截止，其开关时间较长，使用寿命较短。

在具体应用中，根据使用安装形式，射频开关可以分为并联开关、串联开关和混合型开关;根据功能，射频开关可以分为通断开关和选择开关。

在早期的无线通信及雷达系统中，使用机电式射频开关，体积大、速度慢。20世纪60年代初以后，二极管射频开关被用作射频收发开关和移相器，有效改善了射频开关的体积和速度，成为替代机电式射频开关的主流技术，目前仍然在相控阵雷达等系统中使用。1980 年前后，基于GaAs pHEMT的场效应管射频开关在中低功率应用中逐步替代了二极管射频开关。20 世纪90年代末期，随着CMOS工艺的发展，CMOS射频开关研发得到更多的关注。2007 年，英飞凌公司研发了CMOS SOI射频开关产品。2000 年前后开始研究MEMS射频开关，由于其特有的优势，发展前景一直被看好，但由于封装和可靠性等方面的问题还没