2月，英国氮化镓材料开发商Porotech完成2000万美元融资，将用于加速基于该公司“PoroGaN”化合物半导体材料的微型LED产品的量产。目前，该公司正在开发一种新型的基于多孔氮化镓的发光器件。

2月，比利时新 GaN 代工厂BelGaN收购Onsemi 在 Oudenaarde 的晶圆厂，计划将原有的 6英寸的晶圆厂改造成6英寸和8英寸的氮化镓代工厂，目标市场包括汽车、移动、工业和可再生能源市场。

3月，日本丰田合成和大阪大学采用了一种在钠和镓的液态金属中生长 GaN 晶体的方法，来制造高质量的 GaN 衬底，成功制造出了 6 英寸的衬底，为目前世界最大的衬底。

3月30日，Odyssey Semiconductor官网宣布，成功开发700V的垂直 GaN 功率场效应晶体管(FET) 技术。Odyssey 首席执行官Rick Brown 表示，有望在2022年为少数客户提供1200 V垂直 GaN FET。

图源：Odyssey Semiconductor

再来看，我国在政府的支持下，GaN 厂商的投资也越来越多

今年2月，英诺赛科完成近30亿元D轮融资，并首度将GaN技术引入手机内部充电保护。7月，采用英诺赛科 InnoGaN 产品的两款氮化镓充电器上架 Apple Store，标志着英诺赛科氮化镓功率器件打入苹果合作伙伴 Mophie 供应链。公开数据显示，英诺赛科苏州与珠海月产能已达10000片，供货稳定，截至2022年上半年，英诺赛科GaN芯片出货量已突破8000万颗。

据了解，英诺赛科正在投资超过 4 亿美元，计划到 2025 年将其 8 英寸晶圆产能从每月 1 万片扩大到 7 万片。消费市场。

2月，无锡吴越半导体有限公司获数亿元战略融资，本轮融资将主要用于公司氮化镓自支撑衬底的研发与扩产；3月，晶湛半导体完成数亿元战略融资，主要用于总部和研发中心建设；5月，镓未来完成近亿元A+融资，主要用于氮化镓功率芯片新产品研发及应用方案开发，以及供应链建设。

6月，华润微收购第三代半导体厂商大连芯冠科技有限公司34.5625%股份，入局GaN，同时后者更名为润新微电子（大连）有限公司，该公司已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。

8月，宏光半导体宣布按配售价每股3.20港元向不少于六名承配人配售3,000万股新股。据悉，宏光半导体此次配售新股的主要目的在于加强半导体相关产品的生产研发能力如发光二极管、迷你LED、快速电池充电、第三代半导体氮化镓（GaN）器件等。