在GaN-on-Si供应链方面，纳微半导体、氮矽科技等大部分厂商都致力于研究600-650V技术，只有IEPC、GaN Systems、台积电、罗姆等小部分厂商发力小于200V的氮化镓技术。据韩媒etnews今年年初报道，韩国晶圆代工厂商DB HiTek将生产基于硅基氮化镓技术的8英寸半导体，通过提高半导体制造的竞争力来简化晶片加工以增强盈利能力。

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而GaN-on-SiC则结合了SiC优异的导热性和GaN的高功率密度和低损耗的能力，与Si相比，SiC是一种非常“耗散”的衬底，此基板上的器件可以在高电压和高漏极电流下运行，结温将随射频功率而缓慢升高，因此射频性能更好。经过验证，GaN-on-SiC 器件非常适合基础设施、国防和航空应用，如雷达、电子战、通信、导航及类似应用。

此外，在相同的耗散条件下，SiC器件的可靠性和使用寿命更好，还具有高电阻特性，有利于毫米波传输。Wolfspeed 的联合创始人兼首席技术官 John Palmour 曾指出，与硅相比，SiC 器件可降低系统成本并提高性能，因此，SiC 上的 GaN 被证明具有最佳的整体价值。

值得注意的是，GaN-on-SiC晶圆受限于SiC衬底，大部分被限制在4英寸与6英寸，8英寸的还未推广，目前SiC衬底技术主要掌握在国际少数厂商手上，例如美国Cree、II-VI及ROHM。

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当然，除了以上这两种主流技术外，还有GaN-on-sapphire，以及GaN-on-QST、GaN-based-vertical devices、GaN-on-SOT等。

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其中，GaN on Sapphire算是最为成熟，也最为常见，主要用在LED领域；QST基板由Qromis研发，具有与氮化镓磊晶层更紧密匹配的热膨胀系数，在制程中堆栈氮化镓的同时，也能降低翘曲破片，更有利于晶圆代工厂实现量产，因此成为了联电、世界先进两大晶圆代工厂的选择。目前，联电透露预计2022年将提供8英寸 GaN on QST方案，主攻650～1,200V的功率范围，世界先进则将于2022年如期量产基于QST基板的氮化镓组件。

在火热的市场机会背景下，全球各大厂商都开始争先布局氮化镓技术，今年以来，国内外相关技术新闻更是接连不断。

先来看海外厂商。今年1月24日，韩国GaN外延企业IV Works宣布，收购法国Saint-Gobain的氮化镓晶圆业务，通过此次收购，IV Works可以掌握世界级的4英寸和6英寸氮化镓晶圆量产技术。3月，IVworks还和应用材料签署联合开发协议，宣布共同开发1200 V氮化镓功率半导体材料技术。