在几何微缩（geometric scaling）中，首先遇到的问题是光刻技术中的挑战。光刻工艺是集成电路制造过程中最直接体现其工艺先进程度的技术，光刻技术的分辨率（resolution）是指光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸，是决定光刻系统最重要的指标，也是决定芯片最小特征尺寸的原因。它由瑞利定律决定
因而提高光刻分辨率的途径有：①减小波长λ；②增加数值孔径（NA）；③减小k1。
随着集成电路的发展，为适应分辨率不断减小的要求，光刻工艺中应用的光波的波长也从近紫外（NUV）区间的436nm、405nm、365nm波长进入到深紫外（DUV）区间的248nm、193nm波长。目前大部分芯片制造工艺采用了248nm 和193nm光刻技术。其中248nm光刻采用的是 KrF 准分子激光，首先用于0.25μm 制造工艺，经过研究人员的努力，248nm 光刻技术可以完全满足0.13μm制造工艺的需求。
193nm 光刻采用的是 ArF准分子激光，传统的193nm 光刻技术主要用于0.11μm、90nm 以及65nm 的制造工艺。1999年版的ITRS曾经预计在0.10
μm 制造工艺中将需要采用157nm 的光刻技术，但是目前已经被改良的193nm 技术和193nm 浸入式光刻技术所替代。这可以归功于分辨率技术的提高，尤其是浸入式光刻技术在45nm 技术节点上的应用。
浸入式光刻是指在投影镜头与硅片之间用液体充满，由于液体的折射指数比空气高，因此可以增加投影棱镜数值孔径（NA）。以超纯水为例，其折射指数1.44，相当于将193nm波长缩短到 134nm，从而提高了分辨率。基于193nm 浸入式光刻技术在2004年取得了长足进展，并成功地使用在45nm 技术节点中。193nm 浸入式光刻技术原理清晰，构成方法可行并且投入小，配合旧有的光刻技术变动不大，节省设备制造商以及制程采用者大量研发及导入成本，因此 157nm 光源千式光刻技术被 193nm浸入式光刻所替代。
为了能在下一个技术节点上获得领先，下一代的光刻技术正在研发当中，如远紫外光光刻（EUV）、电子束投影光刻、离子束投影光刻、X射线光刻和纳米印制光刻等。
但是在 32nm 技术节点上，两次图形技术（double patterning）从工艺整合的角度出发，能够采用多种工艺整合途径，沿用193nm浸入式光刻技术，满足32nm 技术节点上的工艺需求。除此之外，两次曝光技术（double exposure）也在研究当中。结合两次图形曝光或者两次曝光技术，193nm 沉浸式光刻技术有可能向下扩展到22nm 节点。
