钝化层工艺是指淀积 USG 和Si₃N₄形成钝化层，钝化层可以有效地阻挡水蒸气和可移动离子的扩散，从而保护芯片免受潮、划伤和粘污的影响。

1）淀积 PSG。通过HDP CVD 淀积一层约8000A含磷的SiO₂保护层。因为 HDP CVD的特点是低温，它的台阶覆盖率非常好。该层SiO₂保护层可以防止水汽渗透进来，加磷的主要目的是吸附杂质。

2）淀积Si₃N₄。通过PECVD淀积一层约12000A的Si₃N₄。利用硅烷（SiH₄）、N₂ 和NH₃在400°C的温度下发生化学反应形成Si₃N₄淀积。Si₃N₄的硬度高和致密性好，它可以防止机械划伤的同时也防止水汽、钠金属离子渗入。图4-297所示为淀积Si₃N₄的剖面图。

3） PAD 窗口光刻处理。通过微影技术将PAD窗口掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成PAD 窗口光刻胶图案，非PAD 窗口区域上保留光刻胶。TM作为PAD 窗口光刻曝光对准。图4-298所示为电路的版图，工艺的剖面图是沿AA'方向，图4-299所示PAD窗口光刻的剖面图，图4-300所示为PAD窗口显影的剖面图。

4）量测PAD窗口的套刻，收集曝光之后的PAD 窗口光刻与TM 的套刻数据。

5）检查显影后曝光的图形。

6） PAD窗口刻蚀。利用干法刻蚀将没有被光刻胶覆盖的区域的钝化层去除，形成绑定的窗口，作为顶层金属接受测试的连接窗口，或者是封装线的连接窗口。保留有光刻胶区域的钝化层。刻蚀的气体是CHF₃和CF₄。刻蚀最终停在TiN上防止损伤顶层金属。终点侦查器会侦查到刻蚀氧化物的副产物锐减。图4-301所示钝化层刻蚀的剖面图。

7） 去光刻胶。干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶，图4-302 所示为去除光刻胶后的剖面图。

8）退火和合金化。通过高温炉管，在400°C左右的高温环境中，通入H₂和N₂，时间是30min。目的是使金属再结晶，改善金属层与氧化硅的界面，使它们更紧密，减少欧姆接触的电阻值，减小接触电阻。改善钝化层的结构使钝化层增密，释放金属的应力。

9）WAT测试。通过测试程序测试每片圆片上、下、左、右和中间五点的PCM 的电性参数数据。检查它们是否符合产品规格，如果不符合规格，不能出货给客户。通过收集这些数据可以监控生产线上的情况。

10）出厂检查。FAB 生产出厂的最后检查，生产人员通过显微镜的随机检查，是否有划伤。