IMD4 工艺是形成 TMV （Top Metal VIA，顶层金属通孔）的介质隔离材料，同时IMD4 会隔离第三层金属和顶层 AL金属。IMD4 的材料也是 USG 和SiON材料。

1）淀积 SiCN 刻蚀停止层。利用 PECVD 淀积一层厚度约为 600A 的 SiCN,SiCN 作为刻蚀停止层和 M3的覆盖层，SiCN 可以防止Cu 扩散。这样 Ta/TaN 和 SiCN 就形成一个容器包裹着Cu，防止Cu 向外扩散。图4-283 所示为淀积SiCN 的剖面图。

2）淀积 USG。通过 PECVD 淀积一层厚度约为3000A的 USG。淀积的方式是利用 TEOS在400°C发生分解反应形成二氧化硅淀积层。

3）淀积SiON。利用 PECVD 淀积一层厚度约300A的SiON层，利用硅烷（SiH₄）、一氧化二氮（N₂O）和He 在400°C的温度下发生化学反应形成 SiON 淀积。图4-284所示为淀积SiON 的剖面图。