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IMD1 工艺接触孔工艺-----《集成电路制造工艺与工程应用》 温德通 编著
来源: | 作者:LiLi | 发布时间: 2024-11-14 | 91 次浏览 | 分享到:

IMD1工艺是指在第一层金属之间的介质隔离材料。IMD1的材料是 ULK (Ultra Low K)SiCOH材料。

1) 淀积 SiCN 刻蚀停止层(Etch Stop Layer,ESL)。利用PECVD淀积一层厚度为600A的SiCN,SiCN作为第一层金属刻蚀停止层。图4-238所示为淀积SiCN 的剖面图。

2)淀积SiCOH层。利用PECVD 淀积一层厚度为 3000A的 SiCOH。利用 DEMS(Di-甲基乙氧基硅烷)和 CHO(氧化环乙烯或C6H10O),可以淀积具有CxHy的OSG 有机复合膜。利用超紫外(UV)和可见光处理排除有机气体,最终形成多孔的SiCOH 介质薄膜。SiCOH作为内部金属氧化物隔离层,可以有效地减小金属层之间的寄生电容。

3)淀积 USG。通过PECVD淀积一层厚度约为500A 的USG。淀积的方式是利用 TEOS在400°C发生分解反应形成二氧化硅淀积层。USG 和 TiN 硬掩膜可以防止去光刻胶工艺中的氧自由基破坏 ULK 薄膜。

4)淀积 TiN 硬掩膜版层。利用PVD淀积一层厚度约 300A的TiN。通入气体Ar 和N2轰击Ti靶材,淀积TiN 薄膜。TiN 为硬掩膜版层和抗反射层。图4-239所示为淀积 TiN 的剖面图。