IMD1工艺是指在第一层金属之间的介质隔离材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）SiCOH材料。
1） 淀积 SiCN 刻蚀停止层（Etch Stop Layer,ESL）。利用PECVD淀积一层厚度为600A的SiCN,SiCN作为第一层金属刻蚀停止层。图4-238所示为淀积SiCN 的剖面图。
2）淀积SiCOH层。利用PECVD 淀积一层厚度为 3000A的 SiCOH。利用 DEMS（Di-甲基乙氧基硅烷）和 CHO（氧化环乙烯或C6H10O），可以淀积具有CxHy的OSG 有机复合膜。利用超紫外（UV）和可见光处理排除有机气体，最终形成多孔的SiCOH 介质薄膜。SiCOH作为内部金属氧化物隔离层，可以有效地减小金属层之间的寄生电容。
3）淀积 USG。通过PECVD淀积一层厚度约为500A 的USG。淀积的方式是利用 TEOS在400°C发生分解反应形成二氧化硅淀积层。USG 和 TiN 硬掩膜可以防止去光刻胶工艺中的氧自由基破坏 ULK 薄膜。
4）淀积 TiN 硬掩膜版层。利用PVD淀积一层厚度约 300A的TiN。通入气体Ar 和N2轰击Ti靶材，淀积TiN 薄膜。TiN 为硬掩膜版层和抗反射层。图4-239所示为淀积 TiN 的剖面图。
