HRP工艺是指形成高阻值多晶硅电阻离子注入的工艺，利用离子注入来注入氟离子改变多晶硅的物理特性，形成高阻抗的多晶硅电阻。

1） HRP光刻处理。通过微影技术将 HRP掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成 HRP的光刻胶图案，非 HRP 区域上保留光刻胶。HRP为高阻值多晶硅电阻的离子注入。AA 作为HRP 光刻曝光对准。图4-210所示为电路的版图，工艺的剖面图是沿AA'方向，图4-211所示HRP光刻的剖面图，图4-212所示为 HRP显影的剖面图。

2） 测量HRP光刻套刻。收集曝光之后的 HRP光刻与 AA 的套刻数据。

3）检查显影后曝光的图形。

4）HRP 离子注入。利用离子注入氟离子改变多晶硅的电性，形成高阻抗的多晶硅电阻。图4-213所示为 HRP 离子注入的剖面图。

5）去除光刻胶。干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。图4-214 所示为去除光刻胶的剖面图。

6）湿法刻蚀去除表面氧化硅。利用HF 和 H₂O（比例是50:1）去除表面氧化硅。图4-215所示为去除表面氧化硅后的剖面图。