ILD 工艺是指在晶体管与第一层金属之间形成的介质材料，形成电性隔离。ILD 介质层可以有效地降低金属与衬底之间的寄生电容，改善金属横跨不同的区域而形成寄生的场效应晶体管。ILD 的介质材料是氧化硅。

1）淀积 USG。通过 PECVD淀积一层厚度约为500~600A 的 USG （Un-doped Silicate Glass，非掺杂硅玻璃）。淀积的方式是利用TEOS 在400°C发生分解反应形成二氧化硅淀积层。USG为不掺杂的SiO₂，USG可以防止BPSG中析出的硼和磷扩散到衬底，造成衬底污染。

2）淀积 BPSG。利用 APCVD淀积一层厚度约 8000~9000A的BPSG。利用O₃、TEOS、B（OC₂H₅）₃，和PO（OC₂H₅）₃；在加热的条件下发生反应形成BPSG淀积层。BPSG是含硼（B）和磷（P）的硅玻璃，它们的含量控制在3%~5%。BPSG有利于平坦化，BPSG中掺硼可以降低回流的所需的温度，掺磷可吸收钠离子和防潮。

3）BPSG回流。利用 LPCVD使BPSG在800~900°C的温度下回流，从而实现局部平坦化，避免起球现象，以利于后续的 CMP 工艺。在回流的过程中，BPSG 中的B和P会析出。图4-76所示，是BPSG 回流后的剖面图。

4）酸槽清洗去除硼和磷离子。将晶圆放入清洗槽中清洗，利用酸槽将 BPSG 回流时析出的硼和磷清除。

5）淀积USG。利用HDP CVD 淀积一层厚度约为5000A的SiO₂。因为BPSG的研磨速率较慢和硬度过小，所以淀积一层 USG，避免 BPSG被 CMP 划伤和提高效率。

6）ILD CMP。通过CMP实现 ILD平坦化，以利于后续淀积金属互连线和光刻工艺。因为ILD CMP没有停止层，所以必须通过控制CMP工艺的时间来达到特定的ILD 厚度。图4-77所示为 ILD CMP后的剖面图。

7）量测ILD 厚度。收集CMP之后的ILD 厚度数据，检查是否符合产品规格。

8）清洗。首先利用 NH₄OH 和H₂O清洗，再使用 HF: H₂O（100:1）清洗，最后用超纯净水清洗，得到清洁的表面。

9）淀积USG。通过PECVD淀积一层厚度约为5000A的USG。淀积的方式是利用 TEOS在400°C发生分解反应形成二氧化硅淀积层。目的是隔离 BPSG与上层金属，防止 BPSG中析出的硼和磷扩散影响上层金属，以及修复CMP对表面的损伤。

10）淀积 SiON。利用PECVD淀积一层厚度约200~300A的SiON层，利用硅烷（SiH₄）、一氧化二氮（N₂O）和 He 在400°C的温度下发生化学反应形成 SiON 淀积。SiON层作为光刻的底部抗反射层（BARC）。图4-78所示为淀积SiON 的剖面图。