侧墙工艺是指形成环绕多晶硅的氧化介质层，从而保护 LDD 结构，通过防止重掺杂的源漏离子注入工艺把离子注入到LDD结构的扩展区。侧墙是由两个主要工艺步骤形成，首先淀积一层二氧化硅，再利用各向异性干法刻蚀去除表面的二氧化硅，最终多晶硅栅侧面保留一部分二氧化硅。侧墙工艺不需要掩膜版，它仅仅是利用各向异性干法刻蚀的回刻形成的。

1）淀积氧化硅侧墙结构。利用 APCVD淀积一层厚度约4000A 的二氧化硅层。利用TEOS（Tetraethylor Thosilicate）和O₃在400°C发生反应氧化TEOS形成二氧化硅淀积层。TEOS 是一种含有硅与氧的有机硅化物四乙基氧化硅Si（OC₂H₅）₄，在室温常压下为液体，TEOS 的台阶覆盖率非常好。O₃-TEOS 氧化层具有极好的似型性和间隙填充能力，可以填充非常小的间隙。侧墙结构可以保护栅极形成 PLDD 和NLDD 结构，同时防止栅和源漏孔接触通道之间发生漏电。

2）侧墙刻蚀。利用各向异性干法蚀刻形成侧墙，刻蚀的气体是CL₂和CF₄。因为在栅两边的氧化物在垂直方向较厚，在蚀刻同样厚度的情况下，拐角处留下一些不能被蚀刻的氧化物，因此形成侧墙。