在经典的理论里，对于短沟道器件，器件的阈值电压会随着沟道长度变小而变小，而饱和电流会随着沟道长度的变小而增大。但是，在实际的工艺中引入了晕环离子注入，器件的阈值电压并不会随着沟道长度变小而变小，而是出现先增大后变小的效应，业界称这个效应为反短沟道效应。因为晕环离子注入是在器件沟道中源和漏有源区边界附近形成与沟道同型的中等掺杂区域，随着沟道长度变小，这两个中等掺杂区域会相互靠近，并可能重叠在一起，随着它们相互靠近，沟道的掺杂浓度会逐渐变大，导致阈值电压变大和饱和电流变小。