1.一次可编程存储器

一次可编程 (One-Time Programmable, OTP）存储器是指程序一次性烧录后不可更改和删除的存储器产品。

可编程只读存储器 (Programmable Read Only Memory， PROM)即为典型的OTP产品。美国科学家周文俊(Wen Tsing Chow)于 1956 年根据美国空军的计算机存储参数应用需求发明了 PROM。它可分为使用双极性熔丝和使用肖特基二极管两种类型。前者是通过使用大电流熔断双极性熔丝对 PROM 进行一次烧录，如图2-19 所示；后者则是通过将肖特基二极管永久击穿完成对 PROM 的一次烧录。

Intel 公司的 Dov Frohman 于 1971 年发明了 EPROM，它主要应用于单片机程序代码的存储。因其存储的内容需借助 EPROM 擦除器才能擦除，EPROM 的封装上开有一个玻璃窗口（见图 2-20），数据写入后需将芯片上的窗口封上进行保护。用紫外线透过该窗口照射内部芯片就可以擦除数据。制造 OTP 类的EPROM厂商有 Atmel、ST、NEC 等。

自2012年以来受到重视并仍旧处于发展阶段的电阻性存储器 ( Resistive RAM, RRAM 或 ReRAM）也属于 OTP存储器，技术上已经达到KB 容量。

2.多次可编程存储器

多次可编程 （Multi-Time Programmable， MTP)存储器是可以进行多次编程烧录的存储器产品。

可擦可编程只读存储器 ( Erasable Programmable Read Only Memory,EPROM）和电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, EEPROM，也写作 E²PROM）都是常用的多次可编程存储器产品。

EEPROM 使用电擦除，可使用烧录工具直接写入、修改或删除代码，常被用于存储需要多次修改的数据。

EEPROM 由浮栅晶体管(Floating Gate Transistors)（见图 2-21）构成。浮栅MOSFET 技术由贝尔实验室施敏（Simon M. Sze）和美籍韩国同事姜大元(Dawon Kahng）于1967 年发明并报道。EEPROM 技术由工作于 Hughes 航天飞机公司（1985年被通用汽车公司合并）的 Eliyahou Harari 于 1977 年发明。EEPROM 可用于存储小量信息，早期技术只容许单个字节地擦除，现代技术可以对 EEPROM 的多个字节进行上百万次的擦除，做到了与 MTP 词义相符。

EEPROM 根据字节擦除的限制也导致后来闪速存储器（Flash Memory）的出现。闪速存储器的优点是可以根据字区(Block）进行擦除。

新的非易失性存储器技术，例如，铁电随机存取存储器 (Ferroelectric RAM,FRAM 或 FeRAM)和磁性随机存取存储器 ( Magnetic RAM, MRAM)在某些应用场合正在缓慢地取代 EEPROM。