双极互补双扩散金属-氧化物一半导体集成电路 (Bipolar-CMOS-DMOS IC)制造是在同-块硅衬底片上同时制备出 Bipolar、CMOS 和 DMOS 结构的集成电路芯片。用 BCD 工艺制备的器件不仅具有 Bipolar器件的高频率、强负载的优点同时具有 CMOS 器件低损托、高密度，以及 DMOS 器件高耐压、强驱动和开关速度快等特性，已被广泛应用于电源管理器件、高压功率器件、显示驱动和汽车电子等芯片的制备。

意法半导体（ST） 在1986 年将第一代 BCD 工艺技术用在驱动集成电路中。在Bipolar 器件结隔离制备工艺的基础上，兼容了纵向 4μm 60V 的 DMOS 结构，BCD 工艺可以应用于驱动类集成电路的制备。2014 年，一种高压交流 LED 驱动芯片被研制出来，再次验证了高压 BCD 工艺在该领域的应用。

到2016 年年底为止，BCD 工艺的技术节点已由第一代的 4μm 发展到第九代0.11μm，其应用领域也在不断扩大。在高压器件的应用领域，一种 700V的高压BCD 兼容工艺平台已经成功搭建。在p型单晶衬底上采用全注入技术，仅比CMOS 工艺多用10张光掩模版就可实现700V BCD 器件的单片集成。700V BCD 工艺集成电路剖面结构示意图如图2-9 所示。700V BCD 工艺可应用于高压、高功率集成器件产品的制备。BCD 工艺还被应用于电源管理芯片的制备。2012年 Dialog公司采用台积电 0.13μm的 BCD 技术开发了低功耗的电源管理芯片。

未来，随着先进的 CMOS、DMOS 成熟工艺平台的建立以及集成电路产业链的日臻完善，BCD 集成工艺在低功耗、高效率节能功率电子产品中的应用范围会更加广阔。