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三维集成电路测试3D IC Testing
来源:整理综合自《集成电路产业全书》 | 作者:Belle | 发布时间: 2022-05-09 | 341 次浏览 | 分享到:

TSV间的高度差别、芯片之间的杂质离子都可能对键合质量造成不良影响,键合对准时在x、y、z方向的偏离可能导致TSV的短路或开路。


(2) 3D工艺所引入的新的片内故障:这些故障可能无法被传统的测试方法检测出来。例如, 3D工艺在四片减薄过程中可能导致新的缺陷。前期的研究表明,圆片减薄导致1-U特性退化、器件性能降低和成品率降低。 此外,热耗散及热机械应力也可能引入新的缺陷。多层堆叠的3D IC在工作过程中,芯片产生的热量未及时耗散,将很容易影响芯片的正常功能。另外,芯片内不同材料的热膨胀系数的差异会产生热应力,这也会进一步增大器件失效的概率。