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非弹性电子隧道谱技术IETS
来源:整理综合自《集成电路产业全书》 | 作者:Belle | 发布时间: 2022-05-02 | 761 次浏览 | 分享到:

m量级或更小的范围之内)使得这项技术在实验中很难实现。


近年来,一种新的方法是在带有吸附物的两个电极之间利用单个分子制作一个分子传输结,有时在这个分子附近还会加上额外的栅电极。这种方法与STM- IETS相比,其优点在于两个电极与吸附物直接接触,而非存在一个间隙;其缺点是在两个电极之间创建和识别恰好只有一个分子的传输结非常困难。