每层存储器芯片超过5000个TSV,能够实现256GB/s的数据传输率，是GDDR5的7倍。

(3)减小芯片面积:高度方向的多层集成可以大幅度降低芯片面积。例如，AMD公司的HBM ( High-Bandwith-Memory)在带宽提高60%、功耗降低50%的情况下，芯片占用的PCB面积比GDDR5减小94%。

(4)提高集成度:三维集成不依赖于集成电路特征尺寸，可以适用于任何工艺节点，因此利用第3维可以线性提高集成度，从而在不继续减小特征尺寸的情况下，仍旧保持集成度继续增长。例如，三维集成使NAND闪存的容量得到提升，维持了摩尔定律的发展速度。

(5)实现异质芯片集成:三维集成的多层芯片可以是不同工艺甚至不同衬底的芯片，从而能够实现RF、光电子、MEMS、 传感器等与CMOS的三维集成。

三维集成突出的优点使其具有十分广阔的应用前景。2008 年，东芝公司首先量产了基于TSV的CMOS图像传感器，随后三维集成的MEMS及传感器、存储器、FPGA、 功率器件、射频与无线、逻辑与存储集成等产品相继投人量产。随着产业链的持续发展，三维集成制造技术将进一步发展， 成本也将逐渐降低，进而使其获得更加广泛的应用，促进多功能、高性能、小体积、低功耗的系统级集成芯片的发展。