尽管如图6-4中预期将 InGaAs 中的In 莫耳分率提高到 0.4就可以发出波长在1.3微米范围的红外光，但是实际上这样高的铟含量使得晶格常数与砷化镓基板差异太大，磊晶层超过特定厚度（critical thickness）时容易形成缺陷差排，因此原先预期需要成长在In_0.2Ga_0.8As 基板上才有可能获得高品质的磊晶层足供导体雷射使用。但是实际上应用在作为发光层结构时，由于量子井厚度一般都在10nm 以内，因此可以形成高应变量子井结构（highly strained quantum well），不至于因为晶格常数差异过大导致磊晶层破裂或差排形成。瑞典皇家理工学院J.Malmquist 团队在2002年首次在砷化镓基板上成长Al_0.88Ga_0.12As/GaAs DBR，发光区增益介质由1λ共振腔中In_0.39Ga_0.61As （8.1nm） /GaAs（20nm）/In_0.39Ga_0.61As （8.1nm）双重量子井结构所组成，元件可以在室温下连续波操作发光波长为 1260nm，并且在85°C时有最低阈值电流1.6mA，最长发光波长为120°C操作温度下所测得之 1269nm，这个结果凸显了与InP 系列材料最大的差异在于InGaAs/GaAs 具有较高元件操作温度（因为导带能隙差异较高因此载子局限效果较好）同时采用砷化镓基板直接成长高反射率 AlGaAs/GaAs DBR 还可以利用选择性氧化局限来获得更低的阈值电流值，这是InP 材料系统所欠缺的优势。