700w 时，蚀刻样品具有最平坦之表面，如下图5-22所示。新式 ICP-RIE 在压力1帕（Pa）下可以获得较干整蚀刻表面，搭配不同的气体流量参数包括氯气（Cl₂）2 sccm，氩气（Ar）10sccm，以及四氯化矽（SiCl4）4sccm，基板承载盘温度控制在110°C，ICP 功率设定为200W，RIE 功率为10w，同样可以获得优异的DBR 蚀刻结果。上述的蚀刻制程中所探用的ICP-RIE 感应耦合电浆功率及射频功率之条件，配合腔体压力及反应气体、流量等参数，均视所采用的制程设备与样品尺寸而异，若要进行量产蚀刻制程时需考虑负载效应（loading effect）补偿因为待蚀刻物面积增加导致相同反应气体流量不足以达到小尺寸样品测试时相同的蚀刻速率与深度。

采用 SiO₂作为蚀刻保护层，并利用感应耦合电浆活性离子蚀刻法，搭配具高选择比SiCl4或BCl₃蚀刻气体及制程参数，蚀刻后之面射型雷射元件SEM 照片如图5-23所示，获得平整垂直的蚀刻侧壁有利后续选择性氧化结果的观察。

下表5-1 列出面射型雷射制程中常见材料干式蚀刻常用的气体，但是实际应用时并不仅限于这些气体，通常蚀刻矽相关材料会使用含氟的气体，蚀刻含铝材料会使用氯气及其化合物，其他常使用的惰性气体如氩气 Ar大多借助其物理性蚀刻能力，而氮气、氧气、氢气、氦气多作为蚀刻辅助气体，有的可以提供蚀刻侧壁保护，有的可以帮助蚀刻反应生成物尽快被移除（例如氧气），而氦气通常被用来冷却承载盘面的蚀刻样品。