p-side down）面射型雷射或者N型基板成长底部发光（bottom emission）面射型雷射，此时雷射光会从基板侧的DBR发出，这时就需要在下方 DBR 与活性层之间也加入一层选择性氧化层，提供双层的电流局限能力，同时也可更有效的局限雷射光输出。目前绝大多数砷化镓材料所制作的面射型雷射均可应用选择性氧化技术来作为电流局限，以获得较低的临界电流值，同时其高温操作特性、高频调变特性以及可靠度也较蚀刻柱状结构和离子布植法所制作的元件优异，因此已经成为红光及红外光面射型雷射制程技术主流。