第三种 VCSEL 结构是利用再成长掩埋异质结构的VCSEL，这种结构与蚀刻空气柱VCSEL结构比较，可以有效避免过大的横向折射率差异所引起的高次模态行为，并可以提高散热效率，如图3-14（c） 结构所示。此结构利用蚀刻技术去除共振腔周围的材料，然后接着利用再成长的方式将被蚀刻的区域取代为高能隙与低折射率的材料，利用此项技术可以同时达到横方向光与电流局限的需求。然而制作再成长掩埋异质结构的VCSEL 需要相当高的技术门槛，这是由于通常再成长的材料必须含有高铝含量的材料才能达到高能隙与低折射率材料的要求，但是高铝含量的材料很容易氧化，在再成长前去除自然氧化的部分是相当困难的，所以特殊的蚀刻技术与避免空气的曝露都是磊晶再成长的重要技术。

至于第四种结构则是相对而言制作上较为方便的方式，利用选择性氧化的方式可以同时达到横方向光与电的局限，如图3-14（d）结构所示。因为氧化层的形成是利用转换 DBR中高铝含量的 AlGaAs 材料成为绝缘的AlOx氧化物，在 VCSEL 共振腔周围形成氧化物，可以限制电流往中央的主动区流动，氧化层同时具备低折射率的特性以达到光学局限的效果。氧化层的位置可以被设计在 VCSEL 的DBR 内不同位置，愈靠近主动层，对于载子与光学的局限愈好，若将氧化层设计在光学共振驻波的峰值位置，光学局限的效果非常强烈；若设计在光学共振驻波的节点位置，比较容易达到单模操作并可以避免光经过氧化层的散射损失。