图2-3为 N-Al_0.3Ga_0.7As/p-GaAS/P-Al_0.3Ga_0.7As DH structure 的能带图。在图2-3（a）中，两材料还未形成接面时，能隙较小的p型材料其能隙为 E_g2，其电子亲和力（即真空能隙和Ec间的能量差）为X₂，而功函数（真空能隙和E间的能量差）为Φ₂；而能隙较大的N型材料其参数皆以下标1作为区分。此时，Ec1 和Ec2间的差异即为导电带偏移（conduction band offset）△E_c：而Ev2 和Ev1间的差异为价电带偏移（valence band offset）△Ev。