在 1995年该团队在 GaAs 基板上以 MBE 成长28 对n型 AlAs/GaAs DBR，另外成长的p型 DBR 为30 对四分之一波长的 Al0.67Ga0.33As-GaAs（Be掺杂浓度4×1017cm-3）先与 MOVPE 成长的7层应变补偿 InGaAsP 量子井发光层在630°C下通氢气持温20分钟进行第一次晶片贴合，移除InP 基板后再与n型DBR进行第二次晶片贴合。所制作的元件可以在室温下电激发光连续波操作，最低阈值电流为2.3mA，发光波长1542nm，符合玻璃光纤最低损耗的波段。
尽管长波长面射型雷射可以借由晶片贴合方式结合 InGaAsP 的发光层与 Al（Ga）As/GaAs DBR 的高反射率优势同样达成室温下连续波电激发光操作，但是两种材料之间晶格常数不匹配达 3.7%，同时热膨胀系数也有显著差异（α（InP）=4.6×10-6K-1，α（GaAs）=6.3×10-6K-1）［43］，因此并不适用在较大面积的晶圆贴合制程。同时借由晶片贴合方式制作面射型雷射制程相对复杂，良率及元件可靠度也有疑虑，因此许多研究单位仍然持续寻找与砷化镓基板晶格常数相近，可以直接磊晶成长波长符合1.3微米和1.55微米范围的光通讯波段面射型雷射活性层材料，在本书第六章中我们将会进一步探讨这些可能的材料结构与研究进展。
